比利时微电子研究中心（imec）与ASML联合宣布，双方合作研发的高数值孔径（NA）EUV光刻技术取得关键进展，关键尺寸达13nm，实现单次曝光即可完成FinFET晶体管结构加工，为7nm以下先进芯片制造奠定基础。
技术升级核心在于光学系统的优化：新设备采用0.55NA光学系统，较传统EUV的0.33NA大幅提升聚光能力，配合新型蔡司光学镜头组的相位校正技术，将激光光斑最小尺寸压缩至13nm。这一改进使曝光步骤从传统工艺的5次减少至1次，芯片制造良率提升35%。
ASML技术总监透露，新设备采用双工作台并行加工设计，每小时可处理180片晶圆，生产效率提升20%。尽管单台设备价格高达3.5亿美元（较前代上涨40%），但台积电、三星已分别预订10台和8台，计划用于2026年3nm工艺量产线。业内分析认为，该技术将进一步巩固ASML的市场主导地位，同时设备高成本可能加剧芯片制造行业的集中度。
